[实用新型]一种快速热退火装置有效
申请号: | 201420503056.4 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN204088267U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 李赟佳;赖朝荣;苏俊铭 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种快速热退火装置,包括:硅片盒承载装置,用于承载待退火之晶圆;开放式传送机构,通过交换门与硅片盒承载装置连接;气体净化交换腔,接受经过开放式传送机构传送的晶圆;气体净化传送腔,在气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的晶圆;快速热退火工艺腔,接受来自气体净化传送腔的晶圆,并进行退火,且退火后便于气体净化交换腔内降温。本实用新型使得待退火和降温之晶圆在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺,不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响,降低工艺缺陷的发生,而且统一化工艺环境条件,改善晶圆之差异性,利于提高产品质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 退火 装置 | ||
【主权项】:
一种快速热退火装置,其特征在于,所述快速热退火装置包括:硅片盒承载装置,用于承载待退火之晶圆;开放式传送机构,通过交换门与所述硅片盒承载装置连接;气体净化交换腔,用于净化腔室内气体,并接受经过所述开放式传送机构传送的所述待退火之晶圆;气体净化传送腔,用于净化腔室内气体,并在所述气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的待退火之晶圆;快速热退火工艺腔,接受来自所述气体净化传送腔的待退火之晶圆,并在预设温度和环境条件下对所述晶圆进行退火,且在所述晶圆完成退火后便于所述气体净化传送腔传送至所述气体净化交换腔内降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造