[实用新型]一种非易失性三维半导体存储器及其栅电极

摘要

本实用新型公开了一种非易失性三维半导体存储器及其栅电极；栅电极包括n个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本实用新型适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离。

主权项

一种非易失性三维半导体存储器的栅电极，其特征在于，包括n个依次成阶梯状排列的第一栅电极单元、第二栅电极单元……第n栅电极单元，每个栅电极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，所述连通电极的下表面用于连接字线。