[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件。本实用新型是用于半导体器件中的。一种半导体器件包括具有有源区和无源区的半导体衬底；在有源区中形成的多个有源沟槽，多个有源沟槽中的第一有源沟槽具有在沿着轴的第一方向上延伸第一距离的纵向部分，并且在第一有源沟槽的远端具有沟槽端部；多个有源沟槽的外周边，其中外周边的第一部分沿着第一方向延伸，并且外周边的第二部分沿着和第一方向不同的第二方向延伸；在第一有源沟槽内的板状导体；围绕多个有源沟槽的外周边的终止沟槽；在终止沟槽内的终止导体。本实用新型的一个方面的技术效果提供具有改进的击穿电压的MOS器件和/或MOS器件结构。

主权项

一种半导体器件，其特征在于所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区和无源区；在所述有源区中形成的多个有源沟槽，所述多个有源沟槽中的第一有源沟槽具有在沿着轴的第一方向上延伸第一距离的纵向部分，并且在所述第一有源沟槽的远端具有沟槽端部；所述多个有源沟槽的外周边，其中所述外周边的第一部分沿着第一方向延伸，并且所述外周边的第二部分沿着和所述第一方向不同的第二方向延伸；在所述第一有源沟槽内的板状导体；围绕所述多个有源沟槽的所述外周边的终止沟槽；在所述终止沟槽内的终止导体；在所述多个有源沟槽的所述外周边之外，沿着所述第一方向延伸的所述终止沟槽的纵向侧面；和在所述多个有源沟槽的所述外周边的所述第二部分之外的所述终止沟槽的第二侧面，所述终止沟槽的所述第二侧面的第一区段与所述第一有源沟槽的第一沟槽端部并置，其中所述第一区段包括非线性形状，所述非线性形状包括扇形形状或角形形状或突起形状或喇叭口形状或菱形形状之一，所述第一区段被布置成在所述第一区段的内缘和所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部的第一角部之间形成第二距离，并且在所述第一有源沟槽的纵向侧面和相邻有源沟槽的纵向侧面之间，或者在所述第一有源沟槽的所述纵向侧面和所述终止沟槽的所述纵向侧面之间，形成第三距离，其中所述第二距离不大于或者不小于所述第三距离。