[实用新型]发光二极管以及包括其的发光二极管模块有效
| 申请号： | 201420613865.0 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN204348750U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郭德博;徐正毅 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102206 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管以及包括其的发光二极管模块。发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层表面或延伸到N型半导体层中；P型欧姆接触层，形成在开槽后剩余的P型半导体层上；绝缘介质膜，形成在开槽的侧壁和P型欧姆接触层上；金属层，形成在开槽底部的N型半导体部以及绝缘介质膜上；支撑衬底，形成在金属层上；第一盲孔和第二盲孔，第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面，第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面；P型及N型压焊部，分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 以及 包括 模块 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，该发光二极管包括：非掺杂层；依次形成在该非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；开槽，从该P型半导体层表面延伸到该N型半导体层表面或延伸到该N型半导体层中，开槽后剩余的P型半导体层、量子阱发光层及N型半导体层分别为P型半导体部、量子阱发光部及N型半导体部；P型欧姆接触层，形成在该P型半导体部上；绝缘介质膜，形成在该开槽的侧壁和该P型欧姆接触层上；金属层，形成在该开槽底部的N型半导体部以及该绝缘介质膜上；支撑衬底，形成在该金属层上；第一盲孔和第二盲孔，该第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面，该第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面；P型及N型压焊部，分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。
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