[实用新型]提高饱和容量的背照式图像传感器结构

摘要

本实用新型公开了一种提高饱和容量的背照式图像传感器结构，包括置于半导体基体中的逻辑电路和像素阵列，像素阵列区域周围的半导体基体中设置有N型离子环，所述像素阵列区域与N型离子环之间设置有P型离子环。N型离子环将像素阵列区域的半导体基体与逻辑电路区域的半导体基体隔开，两区域的半导体基体可以设置成不同的电势；像素阵列与N型离子环之间的P型离子环，通过外接负电势，有效提高了像素中光电二极管的势阱电势摆幅，提高了像素的信号饱和容量。

主权项

一种提高饱和容量的背照式图像传感器结构，其特征在于，包括置于半导体基体中的逻辑电路和像素阵列，所述像素阵列区域周围的半导体基体中设置有N型离子环，所述像素阵列区域与所述N型离子环之间设置有P型离子环。