[实用新型]半导体晶圆制造显影预对准装置有效
申请号: | 201420766748.8 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN204391074U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 施建根 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G03F9/00 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭栋梁 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种半导体晶圆制造显影预对准装置,包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘,真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面,真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置,边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置,紫外线发光装置位于可调节挡板的正上方,紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向真空旋转吸盘一侧照射。用本实用新型装置对半导体晶圆边缘曝光,待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间,不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极,大大减少了电镀治具的预防性维护频次。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 显影 对准 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体晶圆制造显影预对准装置,包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘,所述真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面,用以置放半导体晶圆,其特征在于,所述真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置,所述边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置,所述紫外线发光装置位于所述可调节挡板的正上方,所述紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向所述真空旋转吸盘一侧照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造