[实用新型]半导体晶圆制造显影预对准装置有效

专利信息
申请号: 201420766748.8 申请日: 2014-12-08
公开(公告)号: CN204391074U 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 施建根 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;G03F9/00
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 孟阿妮;郭栋梁
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种半导体晶圆制造显影预对准装置,包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘,真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面,真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置,边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置,紫外线发光装置位于可调节挡板的正上方,紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向真空旋转吸盘一侧照射。用本实用新型装置对半导体晶圆边缘曝光,待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间,不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极,大大减少了电镀治具的预防性维护频次。
搜索关键词: 半导体 制造 显影 对准 装置
【主权项】:
一种半导体晶圆制造显影预对准装置,包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘,所述真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面,用以置放半导体晶圆,其特征在于,所述真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置,所述边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置,所述紫外线发光装置位于所述可调节挡板的正上方,所述紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向所述真空旋转吸盘一侧照射。
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