[实用新型]一种具有单层多晶的EEPROM

摘要

本实用新型涉及一种EEPROM，尤其是一种具有单层多晶的EEPROM，属于半导体的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述具有多层单晶的EEPROM，包括半导体基板；在所述半导体基板内的上部设置若干用于数据存储的存储单元，所述存储单元包括控制电容、PMOS编程晶体管以及与所述PMOS编程晶体管串联的PMOS选择晶体管；控制电容通过半导体基板内的隔离介质与PMOS编程晶体管以及PMOS选择晶体管相隔离；本实用新型结构紧凑，降低加工成本以及工艺复杂度，操作方便，安全可靠。

主权项

一种具有多层单晶的EEPROM，包括半导体基板（1）；其特征是：在所述半导体基板（1）内的上部设置若干用于数据存储的存储单元，所述存储单元包括控制电容（30）、PMOS编程晶体管（40）以及与所述PMOS编程晶体管（40）串联的PMOS选择晶体管（50）；控制电容（30）通过半导体基板（1）内的隔离介质（5）与PMOS编程晶体管（40）以及PMOS选择晶体管（50）相隔离；所述控制电容（30）包括位于半导体基板（1）内的P型阱区（4）以及位于所述P型阱区（4）上方的浮栅电极（9），所述浮栅电极（9）与第一P型阱区（4）间设置有浮栅氧化层（6），所述浮栅氧化层（6）以及浮栅电极（9）还部分覆盖P型阱区（4）内的第一P+区域（10）；所述PMOS编程晶体管（40）以及PMOS选择晶体管（50）均位于半导体基板（1）内的N型阱区（3）内，所述N型阱区（3）通过隔离介质（5）与P型阱区（4）隔离；PMOS编程晶体管（40）包括位于N型阱区（3）上部的第二P+区域（11）以及第四P+区域（19）；控制电容（30）上的浮栅电极（9）延伸至PMOS编程晶体管（40）上方并通过编程氧化层（18）部分覆盖在第二P+区域（11）以及第四P+区域（19）的上方；所述PMOS选择晶体管（50）包括位于N型阱区（3）上部的第二P+区域（11）以及第三P+区域（12），所述第二P+区域（11）以及第三P+区域（12）上方设置字线电极（8），所述字线电极（8）通过下方的选择氧化层（7）部分覆盖在第二P+区域（11）以及第三P+区域（12）上。