[发明专利]退火处理半导体基板的制造方法、扫描装置以及激光处理装置有效
申请号: | 201480002018.3 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN104508797B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 郑石焕;泽井美喜;次田纯一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种处理方法,其中,在一边扫描一边向半导体照射线光束时,为了在不使半导体基板移动的扫描装置的机构变得复杂的情况下即可施行精度良好的动作,并且适用于大型的半导体基板,对于被支持部支承的半导体基板,通过与支持部一同移动半导体基板,在短轴方向上相对地扫描线光束,同时多路径地并列照射线光束进行处理,该处理方法包括基板旋转工序,在一个照射路径工序和之后的照射路径工序之间,该基板旋转工序旋转该半导体基板,以使所述半导体基板的前后位置变化,变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置;以及基板倾斜调整工序,在所述一个照射路径工序前,和之后的照射路径工序前以及所述基板旋转工序后,该基板倾斜调整工序对所述半导体基板的倾斜进行调整。 | ||
搜索关键词: | 退火 处理 半导体 制造 方法 扫描 装置 以及 激光 | ||
【主权项】:
一种退火处理半导体基板的制造方法,相对于被支持部支承的半导体基板,通过与所述支持部一起移动所述半导体基板,在短轴方向上相对扫描并以多路径并列照射线光束,进行处理,其特征在于,所述制造方法包括:基板旋转工序,该工序在一个照射路径工序和其之后的照射路径工序之间,以使所述半导体基板的前后位置变化的方式使所述半导体基板旋转,变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置,基板倾斜调整工序,在所述一个照射路径工序前和之后的照射路径工序前,在所述基板旋转工序后,该基板倾斜调整工序对所述半导体基板的倾斜进行调整。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本制钢所,未经株式会社日本制钢所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480002018.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造