[发明专利]底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480002131.1 申请日: 2014-09-10
公开(公告)号: CN105283948B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 小山太一 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/29;H01L25/065;H01L21/78;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/60;C09J7/40;C09J11/06;C09J133/16;C09J163/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;姜甜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料,其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物,在60℃以上100℃以下的任意温度,显示非宾厄姆流动性,动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E+02rad/s以下的角频率区域具有拐点,该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E+05Pa以上10E+06Pa以下。由此,能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。
搜索关键词: 底部 填充 材料 以及 采用 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种底部填充材料,在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前,预先将所述底部填充材料贴合在所述半导体芯片,所述底部填充材料含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸树脂和有机过氧化物,所述底部填充材料在60℃以上100℃以下的任意温度下,显示非宾厄姆流动性,所述底部填充材料的动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E+02rad/s以下的角频率区域具有拐点,该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E+05Pa以上10E+06Pa以下。
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