[发明专利]具有锗或III‑V族有源层的深环栅极半导体器件

摘要

描述了具有锗或III‑V族有源层的深环栅极半导体器件。例如，非平面半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结。有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结构的所述上部层和下部层的组分。栅极电极叠置体设置在所述有源层的沟道区上并且完全环绕所述有源层的所述沟道区，并且设置在所述上部层的沟槽中并且至少部分地在所述异质结构的所述下部层中。源极区和漏极区设置在所述栅极电极叠置体的任一侧上的所述有源层中和所述上部层中，但不在所述下部层中。

主权项

一种非平面半导体器件，包括：异质结构，所述异质结构设置在衬底上方，所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结；有源层，所述有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结构的所述上部层和下部层的组分；栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体设置在所述有源层的沟道区上并且完全环绕所述有源层的所述沟道区，并且所述栅极电极叠置体设置在所述上部层中的沟槽中并且至少部分地在所述异质结构的所述下部层中；源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区设置在所述栅极电极叠置体的任一侧上的所述有源层中和所述上部层中，但不在所述下部层中；以及隔离区，所述隔离区相邻于所述源极区和所述漏极区并且至少部分地设置到所述异质结构中，其中，所述栅极电极叠置体设置到所述异质结构中的深度比所述隔离区的深度更深，并且其中，所述隔离区的所述深度比所述有源层的所述沟道区的最底部表面的深度更深。