[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置在审
| 申请号： | 201480006560.6 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104956470A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 松下孝夫;森伸一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L33/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法以及制造装置，该方法是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备：准备密封片以及多个半导体元件的准备工序；在准备工序之后，利用密封片将多个半导体元件一并密封的密封工序；以及在密封工序之后，回收密封片以及多个半导体元件的回收工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备所述密封片以及多个所述半导体元件的准备工序；在所述准备工序之后，利用所述密封片将多个所述半导体元件一并密封的密封工序；以及，在所述密封工序之后，回收所述密封片以及多个所述半导体元件的回收工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480006560.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于鳍型场效应晶体管的复合硬掩模
- 下一篇：用于印刷图形的自发光标牌
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
