[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201480008290.2 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN105074884A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的一个实施例的基板处理装置包括:具有内部空间的处理腔室,在所述内部空间中容纳有从外部传送来的基板并且执行与所述基板相关的处理;电热线加热器,所述电热线加热器沿着所述处理腔室的侧壁安装,从而布置在所述内部空间的外周上以对所述基板进行加热;以及冷却管,从外部供应的制冷剂流动通过所述冷却管,所述冷却管沿着所述处理腔室的所述侧壁布置在所述电热线加热器之间。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,该基板处理装置包括:具有内部空间的处理腔室,在所述内部空间中容纳有基板并且执行与所述基板相关的处理;电热线加热器,所述电热线加热器布置在所述处理腔室的侧壁中,所述电热线加热器环绕所述内部空间进行布置以对所述基板进行加热;以及冷却管,从外部供应的制冷剂在所述冷却管中流动,所述冷却管沿着所述处理腔室的所述侧壁布置在所述电热线加热器之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480008290.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造碳化硅半导体器件的方法
- 下一篇:成膜方法和成膜系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造