[发明专利]用于垂直NAND性能增强和垂直缩放的局部埋入沟道电介质

摘要

本文公开了非易失性存储器装置和用于形成该非易失性存储器装置的方法。存储器装置利用在NAND串中降低在NAND串的边缘的块体沟道泄漏的局部埋入沟道电介质，其中，沿串支柱方向的电场梯度在编程操作期间处在或接近最大值。存储器装置包括在一端耦合到位线并且在另一端耦合到源极的沟道。选择栅在耦合到位线的沟道的端形成以选择性地控制在位线与沟道之间的传导。在选择栅与沟道的第二端之间沿沟道的长度形成至少一个非易失性存储单元。在沟道的第一端，在沟道内形成局部电介质区域。

主权项

一种存储器装置，包括：在位线和源极之间的垂直堆叠中的多层的存储单元；具有第一区域和第二区域的沟道，所述第一区域用于在所述沟道的第一端和所述位线之间传导电荷，所述第二区域用于在所述沟道的第二端和所述源极之间传导电荷，所述沟道用于在所述存储单元处创建电场；选择栅，位于所述沟道的所述第一端，用于选择性地控制在所述位线与所述沟道之间的传导；在所述沟道的所述第一区域附近的至少一个伪存储单元层；以及电介质，在所述选择栅和所述至少一个伪存储单元层附近在所述第一区域垂直延伸通过所述沟道的仅一部分。