[发明专利]用于半导体封装的衬底及其形成方法在审
| 申请号： | 201480009839.X | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105009276A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | A·森;林少雄 | 申请（专利权）人： | A·森;林少雄 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种形成用于半导体封装的衬底(10)的方法及用于半导体封装的衬底(10)。该方法包括提供载体(12)及在载体(12)上形成多个外垫(14)，形成在载体(12)上的外垫(14)限定了第一导电层。实施模塑操作以便在载体(12)上以模塑化合物(22)形成第一绝缘层(20)。该第一导电层被埋在第一绝缘层(20)中。在该第一导电层上形成多个接合垫(30)、多个导电线路(32)及多个微通孔(56)中的一个或多个，且形成在该第一导电层上的接合垫(30)、导电线路(32)及微通孔(56)中的一个或多个限定了第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 衬底 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于半导体封装的衬底的方法，所述方法包括：提供载体；在所述载体上形成多个外垫，且所述形成在载体上的外垫限定了第一导电层；实施模塑操作以便在所述载体上以模塑化合物形成第一绝缘层，其中所述第一导电层被埋在所述第一绝缘层中；以及在所述第一导电层上形成多个接合垫、多个导电线路及多个微通孔中的一个或多个，且所述形成在所述第一导电层上的接合垫、导电线路及微通孔中的一个或多个限定了第二导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于A·森;林少雄，未经A·森;林少雄许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480009839.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直堆叠的图像传感器
- 下一篇：半导体装置的制造方法及热固化性树脂片
