[发明专利]烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶有效

专利信息
申请号: 201480011201.X 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN105026589B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 高见英生;中村祐一郎;池田祐希;荻野真一 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C22C32/00 分类号: C22C32/00;B22F3/11;C22C5/04;C22C19/07;C22C33/02;C23C14/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 王海川,穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种烧结体,其至少含有钴作为金属、且包含硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金以及氧化物,其特征在于,在包含所述氧化物的相中含有Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一种以上。在靶中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6这些化合物的烧结体能够保持微细的组织,并且能够得到包含对水稳定的烧结体的磁记录膜形成用烧结体。
搜索关键词: 烧结 包含 记录 形成 溅射
【主权项】:
一种烧结体,其至少含有钴作为金属、且包含硼和/或选自铂族元素中的一种以上金属或合金以及氧化物,其特征在于,在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一种以上,硼与氧的原子比为B/O≤0.5。
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