[发明专利]半导体辐射探测器有效
| 申请号： | 201480011455.1 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105026958B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | F·韦尔巴凯尔;K·J·恩格尔;A·J·M·内利森;H·K·维乔雷克;E·C·E·范格鲁斯温;I·M·布勒维;R·斯特德曼布克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光颖;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于探测辐射，特别是探测在计算机断层摄影系统中使用的X射线辐射的探测器(6)。所述探测器包括用于将辐射转换成电子和空穴的直接转换材料(9)，所述电子和空穴用于生成电探测信号。利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料，以用于减小，具体为用于消除所述直接转换材料的极化，所述极化可以发生在由要被探测的辐射穿过所述直接转换材料时，并且所述极化可以降低探测性能。通过减小所述直接转换材料的所述极化，能够提高所述探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 辐射 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种用于探测辐射的探测器，所述探测器(6、106、206、306、406)包括：‑阳极(10、110、210、410)、阴极(8、108、208、408)以及用于将辐射(4、304)转换成电子和空穴的中间直接转换材料(9、109、209、409)，其中，所述电子能由所述阳极(10、110、210、410)来收集，‑探测信号生成器(11、111、211、411)，其用于取决于收集到的电子来生成探测信号，‑照射器，其用于利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光(115、215、315、415)来照射所述直接转换材料(9、109、209、409)，所述探测器的特征在于，所述探测器还包括极化程度确定单元(325)，所述极化程度确定单元用于确定指示所述直接转换材料的极化的程度的极化程度值，其中，所述照射器适于取决于所述极化程度值来照射所述直接转换材料。
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