[发明专利]FePt‑C系溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480011927.3 | 申请日： | 2014-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN105026610B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 后藤康之;山本孝充;西浦正纮;栉引了辅 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/00;B22F3/14;C22C1/10;C22C5/04;C22C32/00;C22C33/02;C22C38/00;G11B5/64;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 鲁雯雯,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种不使用多个靶、可单独形成能作为磁记录介质使用的含有FePt系合金的薄膜、且溅射时产生的颗粒少的FePt‑C系溅射靶。一种含有Fe、Pt及C的FePt‑C系溅射靶，其具有下述结构在含有33原子％以上且60原子％以下的Pt且余量由Fe及不可避免的杂质构成的FePt系合金相中，使含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散。 | ||
| 搜索关键词： | fept 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FePt‑C系溅射靶，其是含有Fe、Pt及C的FePt‑C系溅射靶，其特征在于，具有下述结构：在含有33原子％以上且60原子％以下的Pt、且余量由Fe及不可避免的杂质所构成的FePt系合金相中，含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以不相互接触的方式分散，所述一次粒子的平均粒径为1μm以上且30μm以下。
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