[发明专利]非晶半导体量子点的金属诱导纳米晶化

摘要

一种形成结晶的半导体颗粒的方法，其包括如下步骤在真空的聚集室中形成非晶半导体颗粒；将在真空的聚集室中形成的非晶半导体颗粒传送到其中保持有基板的真空沉积室中；以及在非晶半导体颗粒仍在向真空沉积室中的基板传送的同时向非晶半导体颗粒施加金属催化剂蒸汽，以在传送中经由所述金属催化剂诱导至少一部分非晶半导体颗粒的结晶化，从而将附着有金属催化剂的结晶的半导体颗粒沉积在基板上。

主权项

一种形成结晶的半导体颗粒的方法，其包括：在真空聚集室中形成硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)中任意一种的非晶半导体颗粒；将在所述真空聚集室中形成的所述非晶半导体颗粒传送到真空沉积室中，所述真空沉积室内保持有基板；和在所述非晶半导体颗粒仍在向所述真空沉积室中的所述基板运送的同时对所述非晶半导体颗粒施加银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钯(Pd)和铜(Cu)中任意一种的金属催化剂蒸汽，以在运送中经由所述金属催化剂诱导所述非晶半导体颗粒的至少一部分的结晶化，从而将附着有所述金属催化剂的结晶的半导体颗粒沉积在所述基板上。