[发明专利]正电子发射断层摄影和/或单光子发射断层摄影探测器以及MRI系统有效

专利信息
申请号: 201480013997.2 申请日: 2014-03-10
公开(公告)号: CN105143901B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: A·F·萨洛蒙;V·舒尔茨 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种成像系统包括产生电场的磁共振部分,以及第二成像部分,所述第二成像部分包括具有探测器瓦片的二维阵列的探测器,其中,沿轴向方向的相邻瓦片由导电材料分隔开,所述导电材料屏蔽所述瓦片不受所述电场干扰。成像系统包括具有探测器的第一成像部分,所述第一成像部分包括闪烁晶体的阵列和耦合到所述闪烁晶体的阵列的光电传感器,其中,所述光电传感器的输出包括识别每个晶体的独特的信息的比率。
搜索关键词: 正电子 发射 断层 摄影 光子 探测器 以及 mri 系统
【主权项】:
1.一种成像系统,包括:磁共振部分(104),其产生电场;以及第二成像部分(106),所述第二成像部分包括:探测器(120),其具有探测器瓦片的二维阵列(202),所述探测器瓦片的二维阵列具有瓦片的行和列,每个瓦片包括闪烁晶体的二维阵列,其中,沿每列的相邻瓦片由具有大约为一个瓦片的长度的长度的间隙分隔开,在所述间隙中设置有导电材料(226),沿每行的相邻瓦片彼此邻接并且在沿所述列的相同方向上彼此偏移小于一个瓦片的长度的非零距离,并且所述导电材料形成跨列在瓦片之间对角地延伸的连续导电区域,所述导电材料屏蔽所述瓦片不受所述电场干扰。
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