[发明专利]熔丝元件以及熔丝器件有效

专利信息
申请号: 201480018203.1 申请日: 2014-03-27
公开(公告)号: CN105051855B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 米田吉弘;小森千智;古田和隆;宇都宫泰志 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: H01H85/06 分类号: H01H85/06;H01H85/08;H01H85/11
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;刘春元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够进行表面安装并且能够兼顾额定的提高和速熔断性的熔丝元件以及使用该熔丝元件的熔丝器件。在构成熔丝器件(1)的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件(5)中,具有:低熔点金属层(5a)和层叠于低熔点金属层(5a)的高熔点金属层(5b),低熔点金属层(5a)在通电时侵蚀高熔点金属层(5b)而熔断。
搜索关键词: 元件 以及 器件
【主权项】:
1.一种熔丝元件,构成熔丝器件的通电路径,由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断,其中,所述熔丝元件具有:低熔点金属层;以及层叠在所述低熔点金属层上的熔点比所述低熔点金属层的熔点高并且电阻率比所述低熔点金属层的电阻率低的高熔点金属层,所述熔丝元件是将所述低熔点金属层作为内层并且将所述高熔点金属层作为外层的层叠构造体,所述熔丝元件遍及设置于绝缘基板上或者电路基板上的电极间利用焊料连接于所述电极上,所述低熔点金属层的熔点为对所述熔丝元件进行回流焊接时的回流温度以下,使用所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断的作用。
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