[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

摘要

本发明涉及一种光电子器件(101)，包括载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于包含该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。本发明还涉及一种用于制造光电子器件(101)的相应的方法。

主权项

一种光电子器件(101)，包括：载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的半导体层(109)和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中‑所述n型掺杂的半导体层(109)和所述p型掺杂的半导体层(107)中的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域(117)，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域(117)的所述半导体层中的所述区域(117)的周围中的第二掺杂浓度，‑掺杂的所述区域(117)与在掺杂的所述区域(117)的周围中在截止方向上的击穿电压相比分别具有在所述pn结的截止方向上的更小的击穿电压，‑掺杂的所述区域(117)彼此横向隔开地设置，‑在相邻的掺杂的所述区域(117)之间分别存在具有所述第二掺杂浓度的区域，并且‑所述区域(117)以伸展至所述pn结(111)并且接触所述pn结的方式形成，或者‑所述区域(117)以穿过所述pn结(111)伸展的且连接这两个掺杂的所述半导体层的方式形成。