[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201480023909.7 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105144379A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤知稔;荻野荣治;池谷直泰;森下敏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H03K17/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成有源极电极(120)的常截止型场效应晶体管(102)的主面与芯片焊盘(105)的第一主面相接触，芯片焊盘(105)兼作半导体器件(100)的源极端子。由此，提供一种能够降低在共源共栅连接电路的工作中最重要的电感，提高电路的工作性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其由多个场效应晶体管共源共栅连接而成，其特征在于，包括：常截止型场效应晶体管，其为所述多个场效应晶体管中的一个，具有形成有栅极电极和漏极电极的第一主面和形成有源极电极的第二主面；和芯片焊盘，其具有与所述常截止型场效应晶体管的第二主面接触的第一主面，且兼作该半导体器件的源极端子。
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