[发明专利]三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法有效
| 申请号： | 201480025365.8 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105191123B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | C·左;D·D·金;J-H·兰;J·金;M·F·维纶茨;C·尹;D·F·伯蒂;R·P·米库尔卡;M·M·诺瓦克;X·张;P·H·西伊 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/46 | 分类号： | H03H7/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器。在一个实施例中，该可调谐共用器可以通过在共用器中提供变抗器或者可变电感器之一来形成。变抗器或者可变电感器的可变本质允许共用器中的陷波被调谐从而选择一带阻以消除在期望频率处的谐波而又控制通带的截止频率。通过将该共用器的元件堆叠成三维，空间得以节省并且各种变抗器和电感器能够被使用。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成电路 ic dic 中的 调谐 共用 以及 相关 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)集成电路(IC)，包括：包括至少一个电感器的第一层级，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器；包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。
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