[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

摘要

用于制造光电子器件的方法包括以下步骤：提供具有表面的半导体晶体；将具有电介质的第一层施加到表面上；在第一层上施加以及结构化光刻胶层，其中光刻胶层被结构化，使得光刻胶层具有开口；部分地溶解掉第一层，以便暴露表面的横向区域；在表面的横向区域中施加具有第一金属的接触面；移除光刻胶层；施加第二层，所述第二层具有光学透明的、导电的材料；以及施加具有第二金属的第三层。

主权项

1.用于制造光电子器件（10）的方法，具有以下步骤：‑ 提供具有表面（110）的半导体晶体（100）；‑ 将具有电介质的第一层（200）施加到所述表面（110）上；‑ 在所述第一层（200）上施加以及结构化光刻胶层（300），其中所述光刻胶层（300）被结构化，使得所述光刻胶层具有开口（310）；‑ 部分地溶解掉所述第一层（ 200 ） ，以便暴露所述表面（110）的第一横向区域（121）和第二横向区域（122），其中在第三横向区域（111）中在所述表面（110）上布置所述第一层（200）；‑ 在所述表面（110）的横向区域（120）中施加具有第一金属的接触面（410）；‑ 在施加所述接触面（410）之后移除所述光刻胶层（300）；‑ 在移除所述光刻胶层（300）之后将第二层（500）施加到所述接触面（410）、所述第一层（200）和所述表面（110）的第二横向区域（122）上，所述第二层（ 500 ） 具有光学透明的、导电的材料；‑ 将具有第二金属的第三层（600）施加到所述第二层（500）上，其中在所述第二层（500）和所述半导体晶体(100)之间的比接触电阻比在所述接触面（410）和所述半导体晶体（100）之间的比接触电阻大至少一个数量级。