[发明专利]半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480030286.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105247661B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 森本哲光;片冈真;福本英树 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B32B27/30;C09J7/20;C09J133/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)以及形成于所述基材层(A)上的粘着层(C)，所述基材层(A)包含聚合物，所述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上，所述聚合物包含赋予扩展性的成分作为共聚物成分，所述赋予扩展性的成分单体的熔点为40℃以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学东赛璐株式会社，未经三井化学东赛璐株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480030286.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
