[发明专利]基于NAND串电流检测编程字线在审
| 申请号： | 201480031634.1 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105340019A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 曼·L·木伊;董颖达;克里斯·阿维拉 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在所有存储器单元处于导电状态时测量块中的参考组合电流(Iref)来确定NAND串的块中的编程字线的数目(Nwl)。接着，为了确定字线是否是编程字线，在将分界电压施加至选择的字线的情况下测量块中的附加组合电流(Iadd)。如果Idd比Iref小了至少一定裕量，则选择的字线被确定为编程字线。Nwl可以用于通过以下方式来调节擦除操作的擦除验证测试：使擦除验证测试在所述数目相对小时相对难以通过而在所述数目相对大时相对易于通过。或者，Nwl可以用于识别下一字线，以在块中进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand 电流 检测 编程 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作非易失性存储器设备的方法，包括：在将读取通过电压(Vpass)施加至多个字线(WL0至WL63)的同时，测量通过多个NAND串(NS0至NSn-1；NSa0至NSan-1；NSb0至NSbn-1)的组合电流作为参考组合电流(Iref)，所述多个NAND串包括多个存储器单元(301至307，311至317，321至327；700至703，710至713，720至723)，并且所述多个字线连接至所述多个存储器单元；以及识别所述多个字线中的作为编程字线(WL0至WL5)的一个或更多个所选字线，针对所述一个或更多个所选字线中的每一个，所述识别包括：在将分界电压(Vdem)施加至所述所选字线并且将所述读取通过电压施加至所述多个字线中的其余字线的同时，测量通过所述多个NAND串的附加组合电流(Iadd)，并且确定所述附加组合电流是否比所述参考组合电流小了至少预定裕量。
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