[发明专利]针对3D非易失性存储器的动态擦除电压步长选择

摘要

提供了用于以下述方式对3D堆叠式非易失性存储器设备中的存储器单元进行擦除的技术，该方式避免随着编程‑擦除周期的积累导致的擦除速度减小而延长擦除时间。特别地，可以设定擦除脉冲的步长，其为编程‑擦除周期的数量的函数，例如由编程‑擦除周期的计数、编程期间的循环计数、或初始编程电压来指示，其中，编程期间的循环计数是编程速度的函数，初始编程电压是编程速度的函数。此外，该擦除操作可以引起在不同字线层中的存储器单元的擦除速度不同。

主权项

1.一种用于在3D堆叠式非易失性存储器设备中进行擦除的方法，包括：访问指示所述3D堆叠式非易失性存储器设备中的编程‑擦除周期量的数据，所述3D堆叠式非易失性存储器设备(100)包括交替的字线层(WLL0‑WLL23)和电介质层(D0‑D24)，以及形成在存储器孔(MH0，MH0‑1，MH0‑2，…，MH0‑14)中的存储器单元的多个NAND串(NS0，NS0‑1，NS0‑2，…，NS0‑14)，所述存储器孔延伸通过所述层，每个存储器单元具有由所述字线层之一形成的控制栅极，并且每个NAND串包括漏极端(232)和源极端(242)；以及关于一个或更多个选定字线层的选定存储器单元的擦除操作，向所述NAND串的漏极端或源极端中的至少一个依次施加多个擦除电压(Verase_initial，Verase2，Verase3，Verase4，Verase5)，每个擦除电压将所述NAND串的相应本体(CH)充电至充电状态，在此之后所述一个或更多个选定字线层的电压被驱动至更低，使得所述选定存储器单元的阈值电压被驱动至更低，其中，所述多个擦除电压包括初始擦除电压(Verase_initial)和后续擦除电压(Verase2)，所述后续擦除电压自所述初始擦除电压起以基于所述数据的步长(dVerase1)逐级升高，当所述编程‑擦除周期量相对较大时所述步长相对较大，并且在擦除操作的开始时所述数据可用。