[发明专利]具有宽带隙晶体管解码器的3D非易失性存储器

摘要

本文公开了一种具有WL选择栅的3D堆叠式存储器设备，其包括具有由宽带隙半导体形成的主体的TFT。该宽能带隙半导体可以是氧化物半导体如金属氧化物半导体。作为示例，该金属氧化物半导体可以为InGaZnO、InZnO、HfInZnO或ZnInSnO主体。字线可以由金属如钨形成。3D堆叠式存储器设备可以具有NAND串。TFT可以被形成在字线层中。TFT具有高驱动电流、高击穿电压以及低泄漏电流。

主权项

1.一种3D堆叠式非易失性存储器设备，包括：多个导电字线层(WL0，WL1，……)；在堆叠中与所述导电字线层交替的多个绝缘层(D0，D1，……)；多个非易失性存储元件串(NSA0，NSA1，……)，每个非易失性存储元件串包括多个非易失性存储元件，所述非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件与所述多个导电字线层中的一个导电字线层相关联；以及多个字线选择栅晶体管(231)，所述字线选择栅晶体管中的单独的一个字线选择栅晶体管包括具有由宽带隙半导体形成的主体的薄膜晶体管，其中，每个所述字线选择栅晶体管位于所述导电字线层中的一个导电字线层中。