[发明专利]具有钝化层的发光二极管有效
| 申请号： | 201480032470.4 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105283967B | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 扎比内·沃马多普;马库斯·毛特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法。所述方法包括：在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)和对半导体层序列(130)结构化，其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构(230，232)，其方式是，移除包围半导体结构(230，232)的区域中的半导体层序列(130)的材料直至如下深度，使得在环绕的侧表面(239)上露出半导体层序列(130)的有源区(133)。所述方法还包括：构成钝化层(150)，其中钝化层(150)设置在半导体结构(230，232)的环绕的侧表面(239)上；在构成钝化层(150)之后在半导体结构(230，232)的具有至少一个贯通孔(260)的区域中构成连接结构；将连接结构与载体衬底(125)连接；和移除初始衬底(120)。本发明还涉及一种光电子半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括如下方法步骤：在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)，所述半导体层序列具有第一半导体区域和第二半导体区域(131，132)以及设置在其间的用于产生辐射的有源区(133)；对所述半导体层序列(130)结构化，其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构，其方式是，移除包围所述半导体结构的区域中的所述半导体层序列(130)的材料至少直至如下深度，使得在环绕的所述侧表面(239)上露出所述有源区(133)；构成钝化层(150)，其中所述钝化层(150)设置在所述半导体结构的环绕的所述侧表面(239)上；在构成所述钝化层(150)之后，在所述半导体结构的区域中构成连接结构，所述连接结构具有能传导的第一连接层和第二连接层(161，162)，所述第一连接层和第二连接层彼此分开，其中所述第一连接层(161)与所述第一半导体区域(131)电连接，并且所述第二连接层(162)经由至少一个贯通孔(260)与所述第二半导体区域(132)电连接；其中在所述贯通孔(260)的区域中和/或在侧向地环绕所述半导体结构的区域中构成第一镜层；将所述连接结构与载体衬底(125)连接；以及移除所述初始衬底(120)。
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