[发明专利]用于制造转换元件的方法有效

专利信息
申请号: 201480034907.8 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN105283972B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: M.里希特;M.布格尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤:提供具有表面的衬底;在该表面上构造第一掩膜结构,其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口,其中第一开口形成空腔,在所述空腔中衬底的表面是可接近的;在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构,其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口,其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖,其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的;通过第二开口将材料喷射到空腔中;去除第二掩膜结构;和去除第一掩膜结构。
搜索关键词: 掩膜结构 桥接片 开口 空腔 转换元件 衬底 去除 材料喷射 制造 覆盖
【主权项】:
1.用于制造转换元件(500)的方法,具有以下的步骤:-提供具有表面(101)的衬底(100);-在所述表面(101)上构造第一掩膜结构(200),其中第一掩膜结构(200)具有第一桥接片(210)和布置在第一桥接片(210)之间的第一开口(220),其中第一开口(220)形成空腔,在所述空腔中衬底(100)的表面(101)是可接近的;-在第一掩膜结构(200)上布置第二掩膜结构(300),其中第二掩膜结构(300)具有第二桥接片(310)和布置在第二桥接片(310)之间的第二开口(320),其中第一桥接片(210)至少部分地通过第二桥接片(310)覆盖,其中所述空腔通过第二开口(320)至少部分地保持可接近的;-通过第二开口(320)将材料(400)喷射到空腔中;-去除第二掩膜结构(300);-去除第一掩膜结构(200),其中在将材料(400)喷射到空腔中之后执行以下的另外的步骤:-硬化喷射到空腔中的材料(400),其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化在去除第二掩膜结构(300)和去除第一掩膜结构(200)之间进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480034907.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top