[发明专利]用于制造转换元件的方法有效
申请号: | 201480034907.8 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN105283972B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | M.里希特;M.布格尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤:提供具有表面的衬底;在该表面上构造第一掩膜结构,其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口,其中第一开口形成空腔,在所述空腔中衬底的表面是可接近的;在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构,其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口,其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖,其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的;通过第二开口将材料喷射到空腔中;去除第二掩膜结构;和去除第一掩膜结构。 | ||
搜索关键词: | 掩膜结构 桥接片 开口 空腔 转换元件 衬底 去除 材料喷射 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.用于制造转换元件(500)的方法,具有以下的步骤:-提供具有表面(101)的衬底(100);-在所述表面(101)上构造第一掩膜结构(200),其中第一掩膜结构(200)具有第一桥接片(210)和布置在第一桥接片(210)之间的第一开口(220),其中第一开口(220)形成空腔,在所述空腔中衬底(100)的表面(101)是可接近的;-在第一掩膜结构(200)上布置第二掩膜结构(300),其中第二掩膜结构(300)具有第二桥接片(310)和布置在第二桥接片(310)之间的第二开口(320),其中第一桥接片(210)至少部分地通过第二桥接片(310)覆盖,其中所述空腔通过第二开口(320)至少部分地保持可接近的;-通过第二开口(320)将材料(400)喷射到空腔中;-去除第二掩膜结构(300);-去除第一掩膜结构(200),其中在将材料(400)喷射到空腔中之后执行以下的另外的步骤:-硬化喷射到空腔中的材料(400),其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化在去除第二掩膜结构(300)和去除第一掩膜结构(200)之间进行。
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