[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置有效
申请号: | 201480036204.9 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN105340021B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 山本薰;小川康行 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是构成移位寄存器电路的各级的单位移位寄存器电路,其包括:输出用晶体管(T1),对漏极端子输入规定的时钟信号(CK),从源极端子输出输出信号(OUT);和置位用晶体管(T2),其是在输出用晶体管(T1)的一个栅极电极连接有源极端子的晶体管(T2),对漏极端子输入输入信号(S),对输出用晶体管(T1)的栅极电极(节点(VC))充电时,对栅极电极输入电压比输入信号(S)的电圧高的输入信号(VS)。 | ||
搜索关键词: | 单位 移位寄存器 电路 控制 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种单位移位寄存器电路,其构成移位寄存器电路的各级,该单位移位寄存器电路的特征在于,包括:第一晶体管,其为输出用晶体管,其具有第一栅极电极、第一源极端子和第一漏极端子,对所述第一漏极端子输入第一时钟信号,从所述第一源极端子输出输出信号;第二晶体管,其为置位用晶体管,其是具有第二栅极电极、第二源极端子和第二漏极端子的晶体管,对所述第二漏极端子输入第一输入信号,在对所述第一晶体管的所述第一栅极电极充电时,对所述第二栅极电极输入电压比所述第一输入信号的电压高的第二输入信号;第三晶体管,其具有第三栅极电极、第三源极端子和第三漏极端子,所述第三源极端子与所述第一晶体管的所述第一栅极电极电连接,所述第三漏极端子与所述第二晶体管的所述第二漏极端子电连接;第四晶体管,其具有第四栅极电极、第四源极端子和第四漏极端子,所述第四漏极端子与所述第一晶体管的所述第一源极端子电连接,所述第四源极端子与电源电连接,对所述第四栅极电极输入第二时钟信号;和第五晶体管,其具有第五栅极电极、第五源极端子和第五漏极端子,所述第五漏极端子与所述第二晶体管的所述第二源极端子电连接,所述第五源极端子与所述第一晶体管的所述第一源极端子电连接,对所述第五栅极电极输入所述第一时钟信号,响应于所述第三晶体管对所述第三栅极电极输入了与所述第一时钟信号具有相反相位的所述第二时钟信号,使所述第一晶体管的所述第一栅极电极与所述第二晶体管的所述第二漏极端子电导通,所述单位移位寄存器电路仅具有所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管作为晶体管。
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