[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201480039650.5 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105377980A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 田部井纯一 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08G59/62;C08L83/05;C08L83/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，准备具有由切割区域(112)划分的多个封装区(114)的元件搭载基板(108)；安装工序，在元件搭载基板(108)的各封装区(114)分别安装半导体芯片(116)；模塑工序，利用密封用环氧树脂组合物将半导体芯片(116)同时模塑；和单片化工序，沿着切割区域(112)进行切割，将经过模塑的各个半导体芯片(116)单片化，上述密封用环氧树脂组合物包含(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)有机硅树脂、(D)无机填充剂、(E)固化促进剂，上述(C)有机硅树脂为甲基苯基型热塑性有机硅树脂，为具有下述通式(a)、(b)、(c)、(d)所示的重复结构单元的支链状结构有机硅树脂。(式中，＊表示与其他重复结构单元或同一重复结构单元中的Si原子的结合，R1a、R1b、R1c和R1d为甲基或苯基，它们可以相互相同也可以不同。与Si原子结合的苯基的含量在1分子中为50质量％以上，与Si原子结合的OH基的含量在1分子中低于0.5质量％。) |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，准备具有由切割区域所划分的多个封装区的元件搭载基板；安装工序，在所述元件搭载基板的各封装区分别安装半导体芯片；模塑工序，利用密封用环氧树脂组合物将所述半导体芯片同时模塑；和单片化工序，沿所述切割区域进行切割，将经过模塑的各个半导体芯片单片化，所述密封用环氧树脂组合物包含：(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)有机硅树脂、(D)无机填充剂、(E)固化促进剂，所述(C)有机硅树脂为甲基苯基型热塑性有机硅树脂，为具有下述通式(a)、(b)、(c)、(d)所示的重复结构单元的支链状结构有机硅树脂，![]()
式中，＊表示与其他重复结构单元或同一重复结构单元中的Si原子的结合，R1a、R1b、R1c和R1d为甲基或苯基，它们相互可以相同也可以不同，与Si原子结合的苯基的含量在1分子中为50质量％以上，与Si原子结合的OH基的含量在1分子中低于0.5质量％。
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