[发明专利]电介质膜、膜电容器以及电子设备有效
| 申请号： | 201480042252.9 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105453201B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 神垣耕世 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/18 | 分类号： | H01G4/18;H01G4/33;C08K3/00;C08K9/10;H05K1/18;C08K3/22;H01G4/12;C01G23/00;C04B35/468;C04B35/626;H01G4/20;C08L101/00;C08L23/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度的电介质膜、膜电容器以及电子设备。一种电介质膜，其在有机树脂5中含有陶瓷粒子3，陶瓷粒子3具有形成通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种以上的晶相3a、3b。由于晶格形状(尺寸)的差异，因此各晶相3a、3b的介电极化的程度不同，因此陶瓷粒子3具有介电常数不同的区域，可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质膜 陶瓷粒子 比介电常数 电子设备 膜电容器 击穿 介电常数 晶格形状 有机树脂 极化 介电 晶格 轴比 | ||
【主权项】：
1.一种电介质膜，其特征在于，具有有机树脂和包含在该有机树脂中的陶瓷粒子，所述陶瓷粒子仅包含具有通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种晶相，所述陶瓷粒子具有由核部以及设置在该核部周围的壳部而形成的核壳结构，所述核部由所述2种晶相中的一种晶相形成，所述壳部由所述2种晶相中的另一种晶相形成，所述核部为钛酸钡或含Ca钛酸钡，所述壳部在构成所述核部的材料中固溶有Mg、Sr、Zr、Sn中的任一种元素，电介质膜的静电能量密度为6220800以上。
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