[发明专利]用于分裂栅非易失性存储器单元的自对准源极的形成

摘要

本发明公开了一种存储器装置，所述存储器装置具有一对导电浮栅，所述导电浮栅具有彼此面对的内侧壁，并且设置在第一导电类型的衬底上面并与其绝缘。一对间隔开的导电控制栅，所述导电控制栅各自设置在所述浮栅中的一个上面并与其绝缘，并且各自包括彼此面对的内侧壁。一对绝缘材料的第一间隔物，所述第一间隔物沿着控制栅内侧壁并且在所述浮栅上面延伸。所述浮栅内侧壁与所述第一间隔物的侧表面对准。一对绝缘材料的第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅内侧壁中的一个延伸。形成到所述衬底中的沟槽，所述沟槽具有与所述第二间隔物的侧表面对准的侧壁。设置在所述沟槽中的硅碳。注入到所述硅碳中的材料，所述材料形成具有第二导电类型的第一区域。

主权项

1.一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：形成位于具有第一导电类型的衬底上面并且与其绝缘的导电材料层；形成位于所述导电材料层上面并且与其绝缘的一对间隔开的导电控制栅，其中所述控制栅中的每个包括相对的内侧壁和外侧壁，并且其中所述内侧壁彼此面对；形成沿着所述内侧壁并且位于所述导电材料层上面的一对绝缘材料的第一间隔物；进行所述导电材料层的蚀刻以形成所述导电材料层的一对浮栅，其中所述浮栅包括彼此面对并且与所述一对第一间隔物的侧表面对准的内侧壁；形成一对绝缘材料的第二间隔物，所述第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅中的一个的所述内侧壁延伸；将沟槽形成到所述衬底中，其中所述沟槽具有与所述一对第二间隔物的侧表面对准的侧壁；在所述沟槽中形成硅碳；以及将材料注入到所述硅碳中以在其中形成具有第二导电类型的第一区域。