[发明专利]用于增强模式氮化镓晶体管的具有自对准凸出部的栅极无效
| 申请号： | 201480043092.X | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105453216A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曹建军;亚历山大·利道;阿兰娜·纳卡塔 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在栅极触点和二维电子气(2DEG)区域之间具有减小的栅极漏损电流的增强模式氮化镓晶体管及其制造方法。该增强模式的氮化镓晶体管包括：氮化镓层；阻挡层，其布置在氮化镓层上，并具有形成在氮化镓层和阻挡层之间界面处的2DEG区域；以及布置在该阻挡层上的源极触点和漏极触点。氮化镓晶体管还包括形成于所述阻挡层上方且在源极触点和漏极触点之间的p型栅极材料；以及布置在所述p型栅极材料上的栅极金属，其中p型栅极材料包括分别朝向源极触点和漏极触点延伸的自对准的一对凸出部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 模式 氮化 晶体管 具有 对准 凸出 栅极 | ||
【主权项】：
一种增强模式的氮化镓晶体管，包括：氮化镓层；阻挡层，其布置在氮化镓层上，并具有形成在所述氮化镓层和所述阻挡层之间界面处的二维电子气区域；形成于所述阻挡层上方的p型栅极材料，所述p型栅极材料具有朝向所述阻挡层延伸的侧面；以及布置在所述p型栅极材料上的栅极金属，所述栅极金属具有朝向所述p型栅极材料延伸的侧壁；其中所述p型栅极材料包括延伸经过所述栅极金属的相应侧壁的一对水平凸出部，所述对水平凸出部具有分别从所述栅极金属的侧壁至所述p型栅极材料的侧面的本质上相等的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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