[发明专利]在基板上从不同材料形成鳍的方法有效
申请号: | 201480043551.4 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN105453251B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/84;H01L27/12;H01L21/8258 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 形成不同材料的鳍的方法包括提供具有带顶面的第一材料层的基板,掩模该基板的第一部分而保持该基板的第二部分暴露,在该第二部分处蚀刻第一开口,在该开口中形成第二材料的基体达到与该第一材料层的顶面的水平,移除该掩模,并且在该第一部分处形成第一材料的鳍并且在该第二部分处形成第二材料的鳍。还公开了具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件。 | ||
搜索关键词: | 基板上 不同 材料 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成不同材料的鳍的方法,包括:提供包括带顶面的第一材料层、第二材料层、以及在所述第二材料层上的第一氧化物层的基板,所述第一材料层位于所述第一氧化物层上;掩模所述基板的第一部分以形成掩模,而保持所述基板的第二部分暴露;在所述第二部分处蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第一氧化物层到达所述第二材料层;在所述第一开口中形成第一材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平,其中所述第一材料基体由所述第一材料层和所述第一氧化物层围绕;移除所述掩模;以及在所述第一部分处形成所述第一材料的鳍以及在所述第二部分处形成所述第一材料基体的鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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