[发明专利]用六氟化钨(WF6)回蚀进行钨沉积

摘要

本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第一膜；通过将此第一膜暴露于卤化钨化合物及经活化的处理气体的连续流使用等离子体处理来蚀刻整体钨层的第一膜，以移除第一膜的部分；及通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在第一钨膜之上沉积第二钨膜来沉积整体钨层的第二膜。

主权项

1.一种用于在基板上沉积钨膜的方法，所述方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中，其中所述特征由至少一个侧壁及底表面来界定；通过以下步骤来沉积整体钨层的第一钨膜：将卤化钨化合物和含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在将所述基板处理腔室维持于第一压力和300℃至430℃之间的第一温度下的同时，在所述特征之上沉积所述第一钨膜；通过以下步骤在所述基板处理腔室中使用等离子体处理来蚀刻所述整体钨层的所述第一钨膜，以移除所述第一钨膜的部分：在将所述基板处理腔室维持于第二压力和300℃至430℃之间的第二温度下的同时，将所述第一钨膜暴露于经活化的处理气体和所述卤化钨化合物的连续流，所述第二压力低于所述第一压力；以及通过以下步骤来沉积所述整体钨层的第二钨膜：将所述卤化钨化合物和所述含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在所述第一钨膜之上沉积所述第二钨膜。