[发明专利]循环冷却加热装置有效
申请号: | 201480044231.0 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN105453237B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 志贺一哉 | 申请(专利权)人: | 科理克株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种循环冷却加热装置(3),将对等离子体蚀刻装置的腔室供给的循环流体冷却、加热,并具备在循环流体和冷却水之间进行热交换的热交换器、加热循环流体的加热单元、使循环流体在与腔室之间循环的泵(20)、使冷却水流通的冷却水流通块(29)、检测被冷却或加热的循环流体的压力的作为压力检测单元的压力传感器(22),压力传感器(22)安装于冷却水流通块(29)。 | ||
搜索关键词: | 循环 冷却 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种循环冷却加热装置,将对等离子体蚀刻装置的腔室供给的循环流体冷却、加热,其特征在于,具备:热交换器,其在循环流体与冷却水之间进行热交换;加热单元,其加热循环流体;泵,其在与所述腔室之间使循环流体循环;冷却水流通块,其使冷却水流通;压力检测单元,其检测被冷却或加热的循环流体的压力,所述压力检测单元安装于所述冷却水流通块,所述压力检测单元和取出循环流体的压力的压力取出部之间分开,并且通过压力取出管连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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