[发明专利]透光性导电构件及其布图方法有效
| 申请号： | 201480044544.6 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105474140B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 山井知行;尾藤三津雄;北村恭志 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;G06F3/044;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件的布图方法。所述布图方法使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 导电 构件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于透光性树脂的外涂层中的导电层，其特征在于：所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区域，而且在所述导电区域中，所述银纳米线的一部分从所述外涂层的表面露出，在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的所述银纳米线的至少一部分被碘化；在所述非导电区域中，所述银纳米线被碘化所形成的银碘化物不会从所述外涂层的表面露出；或者所述非导电区域的在所述外涂层的表面露出的该银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面露出的所述银纳米线的量更少。
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