[发明专利]半导体物理量传感器有效
| 申请号： | 201480045444.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105474404B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 片冈万士;荻原淳;牛山直树;城石久德 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01L9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体物理量传感器(10)具备：第1基材(20)；电极(60)，其被形成在第1基材(20)上；隔膜(50)，其根据从外部施加的物理量而弯曲；第2基材(30)，其将隔膜(50)支承为相对于电极(60)而隔着空间(S)相对，并且该第2基材被固定于第1基材(20)；和绝缘体(40)，其被形成在隔膜(50)的第1基材(20)侧的面(50a)。并且，在绝缘体(40)与电极(60)之间形成了划分出空间(S)的壁部(41)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 物理量 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体物理量传感器，具备：第1基材；电极，其被形成在所述第1基材上；隔膜，其根据从外部施加的物理量而弯曲；第2基材，其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对，并且该第2基材被固定于所述第1基材；绝缘体，其被形成在所述隔膜的所述第1基材侧的面；通孔，其贯通所述第2基材，用于检测静电电容；和壁部，其包围所述通孔的至少一部分的周围，划分出所述空间和所述通孔，所述壁部被形成在所述绝缘体与所述电极在所述隔膜的厚度方向相对置的之间。
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