[发明专利]刷新存储器单元的电压值的存储器控制器和方法有效
| 申请号： | 201480047332.3 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105474323B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | K.潘加尔;R.K.拉马努延;R.W.法伯;R.森达拉姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/21 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李雪娜;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 交叉点 非易失性存储器 中的 数据 刷新 | ||
【主权项】：
1.一种刷新存储器单元的电压值的存储器控制器，所述存储器控制器包括：读取逻辑，其被配置成读取具有多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值，其中所述多个存储器单元具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值；以及写入逻辑，其与所述读取逻辑耦合并且被配置成刷新所述多个存储器单元中的被设置成所述第二阈值电压的第一一个或多个的电压值而不更改所述多个存储器单元中的被设置成所述第一阈值电压的第二一个或多个的电压值，其中所述写入逻辑要响应于检测到所述读取逻辑对所述多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的电压值读取时的错误计数超过错误阈值，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元的每个存储器单元的相应电压值被设置成所述第一阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第一阈值电压；以及响应于所述检测，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值被设置成所述第二阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第二阈值电压。
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