[发明专利]晶片的研磨方法及晶片的研磨装置有效

专利信息
申请号: 201480047490.9 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN105659361B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 川崎智宪 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B24B37/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张雨;李婷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种实用的晶片的研磨方法,该晶片的研磨方法能够减少由伪研磨引起的晶片损失,并且能够使成品用的晶片的光点缺陷数稳定至较低水平。本发明的晶片的研磨方法使晶片(104)接触于设置在模座(110)表面上的研磨布(112),使模座(110)及晶片(104)旋转,由此,借助相同的研磨布(112)多次进行研磨晶片(104)表面的研磨处理。此时,测定研磨布(112)的接触角,基于其测定值决定从初期研磨(伪研磨)工序向正式研磨工序的切换时机。
搜索关键词: 晶片 研磨 研磨布 模座 光点缺陷 研磨处理 研磨晶片 研磨装置 低水平 接触角 时机
【主权项】:
一种晶片的研磨方法,前述晶片的研磨方法使晶片接触至设置在模座表面上的研磨布上,使前述模座及前述晶片旋转,由此,借助同一的研磨布多次进行研磨前述晶片表面的研磨处理,其特征在于,前述研磨处理由初期研磨工序和正式研磨工序构成,前述初期研磨工序不将研磨后的晶片作为成品,前述正式研磨工序在前述初期研磨工序之后,将研磨后的晶片作为成品,测定前述研磨布的接触角,基于其测定值确定从前述初期研磨工序向前述正式研磨工序的切换时机。
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