[发明专利]晶片的研磨方法及晶片的研磨装置有效
申请号: | 201480047490.9 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN105659361B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 川崎智宪 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张雨;李婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种实用的晶片的研磨方法,该晶片的研磨方法能够减少由伪研磨引起的晶片损失,并且能够使成品用的晶片的光点缺陷数稳定至较低水平。本发明的晶片的研磨方法使晶片(104)接触于设置在模座(110)表面上的研磨布(112),使模座(110)及晶片(104)旋转,由此,借助相同的研磨布(112)多次进行研磨晶片(104)表面的研磨处理。此时,测定研磨布(112)的接触角,基于其测定值决定从初期研磨(伪研磨)工序向正式研磨工序的切换时机。 | ||
搜索关键词: | 晶片 研磨 研磨布 模座 光点缺陷 研磨处理 研磨晶片 研磨装置 低水平 接触角 时机 | ||
【主权项】:
一种晶片的研磨方法,前述晶片的研磨方法使晶片接触至设置在模座表面上的研磨布上,使前述模座及前述晶片旋转,由此,借助同一的研磨布多次进行研磨前述晶片表面的研磨处理,其特征在于,前述研磨处理由初期研磨工序和正式研磨工序构成,前述初期研磨工序不将研磨后的晶片作为成品,前述正式研磨工序在前述初期研磨工序之后,将研磨后的晶片作为成品,测定前述研磨布的接触角,基于其测定值确定从前述初期研磨工序向前述正式研磨工序的切换时机。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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