[发明专利]半导体存储装置及存储器系统有效
| 申请号： | 201480049489.X | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105518798B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吉原正浩;安彦尚文 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 以低电压而不使可靠性下降地进行数据读取。感测放大器具备：存储器串，其包括存储器单元；位线，其与存储器串的一端电连接；和感测放大器，其与位线电连接而进行感测。感测放大器具有：第一晶体管，其一端连接于位线的电流路径上的第一节点，且另一端与第二节点电连接；第二晶体管，其电连接于第二节点与感测节点之间；和第三晶体管，其栅连接于第一节点，且其电连接于第二节点与能调整电压的第三节点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电连接 感测放大器 晶体管 位线 存储器串 半导体存储装置 存储器单元 存储器系统 电流路径 调整电压 感测节点 数据读取 一端连接 低电压 感测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中，具备：存储器串，其包括存储器单元；位线，其与所述存储器串的一端电连接；和感测放大器，其与所述位线电连接，所述感测放大器包括：第一晶体管，其一端连接于所述位线的电流路径上的第一节点，且其另一端与第二节点电连接；第二晶体管，其电连接于所述第二节点与感测节点之间；和第三晶体管，所述第三晶体管的栅连接于所述第一节点，且所述第三晶体管电连接于所述第二节点与能调整电压的第三节点之间。
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