[发明专利]经热屏蔽涂覆的Ni合金部件及其制造方法在审
申请号: | 201480049558.7 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN105531398A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 吉泽广喜;立野晃;佐藤彰洋;佐佐木厚太;石田正人;安井义人;村上秀之;村上博道 | 申请(专利权)人: | 株式会社IHI;国立研究开发法人物质·材料研究机构 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C22C5/04;C22C19/03;C22C19/05;C22F1/10;C22F1/14;C23C14/14;C23C14/16;C25D5/28;C25D5/50;F01D5/28;F01D25/00;F02C7/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供一种经热屏蔽涂覆的Ni合金部件(10),其具备由含有Al的Ni合金形成的基材(12)、形成于基材(12)的表面的中间层(14)、以及形成于中间层(14)的表面且由陶瓷形成的热屏蔽层(16),中间层(14)在热屏蔽层(16)侧的表面具有由γ’‑Ni |
||
搜索关键词: | 屏蔽 ni 合金 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,具备:由含有Al的Ni合金形成的基材、形成于所述基材的表面的中间层、以及形成于所述中间层的表面且由陶瓷形成的热屏蔽层,所述中间层在热屏蔽层侧的表面具有不含γ-Ni固溶体相、由γ’-Ni3 Al相的单一相形成且含有Pt和Ir的γ’层,并且所述中间层在所述γ’层的基材侧具有含γ层,所述含γ层包含由γ-Ni固溶体相和γ’-Ni3 Al相形成且含有Pt和Ir的γ+γ’层、或由γ-Ni固溶体相形成且含有Pt和Ir的γ层,关于Pt浓度,所述γ’层比所述含γ层高,关于Ir浓度,所述含γ层比所述γ’层高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社IHI;国立研究开发法人物质·材料研究机构,未经株式会社IHI;国立研究开发法人物质·材料研究机构许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480049558.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类