[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201480050227.5 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105531800B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;河西繁;原恵美子;藤野豊;长田勇辉;中込淳;小松智仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体的垂下构件，该垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，喷淋板具有多个第1气体供给口和多个第2气体供给口，第1气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠内侧的位置，第2气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠外侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于所述喷淋板的表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，该等离子体处理装置具有由导电体构成的垂下构件，该垂下构件从所述喷淋板的下端面向下方突出，所述垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，所述喷淋板具有用于向所述处理容器内供给第1气体的多个第1气体供给口和用于向所述处理容器内供给第2气体的多个第2气体供给口，所述第1气体供给口配置于比所述垂下构件的外侧面靠内侧的位置，所述第2气体供给口配置于比所述垂下构件的外侧面靠外侧的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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