[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201480051312.3 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105556686A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 大藪恭也;二宫明人 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法具有：准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔开间隔的多个半导体元件；以及密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔开间隔的多个半导体元件；以及密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件密封。
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