[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。

主权项

一种光电子半导体器件(100)，所述光电子半导体器件具有‑光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有透射辐射面(1A)和多个侧面(1B)以及与所述透射辐射面(1A)相对置地设置的后侧表面(1C)，大部分辐射穿过所述透射辐射面，所述侧面横向于所述透射辐射面(1A)设置，‑成型体(2)，所述成型体构成为是双层的并且具有透射辐射侧的主面(2A)、多个侧面(2B)和后侧主面(2C)，其中所述光电子半导体芯片(1)部分地嵌入到所述成型体(2)中，并且其中所述成型体(2)由模塑料(200)形成，所述模塑料至少部分地覆盖所述半导体芯片(1)的至少两个侧面(1B)和所述后侧表面(1C)，‑第一接触层(3A)和第二接触层(3B)，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述成型体(2)上并且设置用于所述半导体芯片(1)的电连接，并且具有第三接触层(3C)，所述第三接触层(3C)设置在所述成型体(2)的第一层和第二层(21，22)之间，其中所述半导体芯片(1)的所述后侧表面(1C)和所述第一接触层(3A)借助所述第三接触层(3C)相互连接，‑安装面(4)，所述安装面横向于所述透射辐射面(1A)设置并且设置用于安装所述半导体器件(100)，其中所述成型体(2)具有凸出的子区域(8A，8B)，所述子区域设置在所述半导体芯片(1)的侧面(1B)上并且具有第一尺寸(T)和第二尺寸(B)，所述第一尺寸和所述第二尺寸分别大于所述半导体芯片(1)的最小尺寸(D)，其中所述第一接触层和所述第二接触层(3A，3B)从所述透射辐射侧的主面(2A)分别延伸至所述成型体(2)的侧面(2B)上，所述侧面横向于安装面(4)设置。