[发明专利]检定用于显微光刻的图案的合格性有效
| 申请号： | 201480054237.6 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105593984B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 石瑞芳;马克·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于检定光刻光罩合格性的方法及设备。光罩检验工具用以从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像。各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像重新构建光罩图案。针对每一重新构建的光罩图案，在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案。各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别所述光罩图案的热点图案，所述热点图案易受改变由此类似热点图案形成的晶片图案的所述不同工艺条件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 检定 用于 显微 光刻 图案 合格 | ||
【主权项】：
1.一种检定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：使用光学光罩检验工具从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像；各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像而重新构建光罩图案；针对每一重新构建的光罩图案而在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案；以及各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别所述光罩图案的热点图案，所述热点图案易受所述不同工艺条件的影响，而改变由此类热点图案形成的晶片图案。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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