[发明专利]使硫族化物界面电阻最小化的电极材料和界面层有效
| 申请号： | 201480055369.0 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105593994B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | F.D.吉利;A.戈蒂;D.科隆波;张国维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张金金;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有降低的电极‑硫族化物界面电阻的相变存储器单元和用于制作相变存储器单元的方法。在电极层与硫族化物层之间形成界面层，其在基于硫族化物的相变存储器层与电极层之间提供降低的电阻。示范性实施例提供界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。在一个示范性实施例中，界面层包括在约1nm与约10nm之间的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 使硫族化物 界面 电阻 最小化 电极 材料 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元，其包括：/n基于硫族化物的相变存储器层；/n第一电极层，其包括碳和/或氮化钛；以及/n第一界面层，其在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第一电极层之间并且与所述基于硫族化物的相变存储器层和所述第一电极层中的每个接触，所述第一界面层在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第一电极层之间提供降低的电阻,/n所述第一界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。/n
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