[发明专利]表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201480056882.1 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105683834B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 浅田晋;玉屋英明;矢野浩平;山下泰辉 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;C08L33/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面(2e)的表膜用膜(3)；和附着于表膜框的另一个端面(2f)的非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)，前述非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)中的重均分子量800以下的化合物的含量为18重量％以下。根据本发明，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。 | ||
| 搜索关键词： | 表膜 带表膜 光掩模 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表膜，其具备：表膜框；张架于所述表膜框的一个端面的表膜用膜；和附着于所述表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，所述非交联型的丙烯酸系粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含量为18质量％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成株式会社，未经旭化成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480056882.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
